2SK0663GRL

功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SMINI-3

RoHS:

类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应

系列:-

标准包装:8,000

系列:-

电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V

漏极至源极电压(Vdss):30V

漏极电流 (Id) - 最大:10mA

FET 型:N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-

电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA

输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V

电阻 - RDS(开):200 欧姆

安装类型:表面贴装

包装:带卷 (TR)

封装/外壳:3-XFDFN

供应商设备封装:3-ECSP1006

功率 - 最大:100mW

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